传三星电子12Hi HBM4E内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试

据《韩国经济日报》报道，三星电子的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过英伟达和主要超大规模数据中心企业的质量验证测试。该产品结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量为48GB，支持14~16Gbps引脚速率，能效提升16%，热阻改进14%。三星电子官方对此回应称“无法确认”。