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三星电子HBM4E内存通过质量验证测试
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据《韩国经济日报》报道，三星电子的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过英伟达和主要超大规模数据中心企业的质量验证测试。该产品结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量为48GB，支持14~16Gbps引脚速率，能效提升16%，热阻改进14%。三星电子官方对此回应称“无法确认”。
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最新进展10月8日 00:13
《韩国经济日报》报道，三星电子的HBM4E内存通过英伟达和主要数据中心企业的质量验证测试。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月8日
- 同花顺·国际财经传三星电子12Hi HBM4E内存已通过英伟达等主要客户质量验证测试
据《韩国经济日报》报道，三星电子的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过英伟达和主要超大规模数据中心企业的质量验证测试。该产品结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量为48GB，支持14~16Gbps引脚速率，能效提升16%，热阻改进14%。三星电子官方对此回应称“无法确认”。
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